助力生产更大容量内存，三星推出基于12nm的32Gb DDR5 DRAM

9 月 1 日，三星宣布其采用 12nm 工艺制程，开发出了容量达到 32Gb 的 DDR5 DRAM，刷新了旗下 DDR5 DRAM 产品的最大容量记录，

根据三星官方介绍，过去使用 16Gb 内存颗粒打造 DDR5 128GB 内存模组需要使用硅通孔工艺，而这一次更新的 32Gb 内存颗粒则不需要这一工艺即能完成 128GB 内存模组的生产，并且功耗降低了约 10%。

此外，基于这一新内存颗粒，三星还表示他们可以研发出实现 1TB 内存模组的解决方案，可以帮助满足人工智能和大数据时代对于大容量 DRAM 内存日益增长的需求。

三星还计划基于此 12nm 级 32Gb DDR5 DRAM 为基础，继续扩充大容量内存产品阵容。而全新的 12nm 32Gb DDR5 DRAM 将于今年年底开始量产，或许在未来也会有更具体的消费级产品面世。

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