引领世界的10nm: 8Gb的DDR4的第二代产品量产

楼下小黑 | 2017-12-20 16:10

三星电子今天宣布,他们已经开始批量生产业界领先的10nm级, 8Gb的DDR4的第二代产品。对于上一代产品来说,新的8Gb DDR4具有8Gb DRAM芯片最高的性能和能源效率,以及更小的尺寸。

三星的第二代10nm级8Gb DDR4比第一代10nm级8Gb DDR4的生产率提高了近30%。此外,由于采用了先进的专有电路设计技术,新的8Gb DDR4的性能水平和能效分别提高了约10%和15%。新的8Gb DDR4每个引脚可以以每秒3,600Mbps的速度运行。

 

三星电子称:“通过开发DRAM电路设计和工艺技术的创新,我们已经突破了DRAM扩展性的主要障碍。通过第二代10nm级DRAM的快速增长,我们将更加积极地扩展我们整体的10nm级DRAM的产品产能,以适应强劲的市场需求,并继续加强我们的业务竞争力。”

为了实现这些成就,三星应用了新技术。这里的创新包括使用高灵敏度的细胞数据传感系统和渐进的“空气间隔”方案。在三星第二代10nm级DRAM的单元中,新设计的数据传感系统可以更准确地判定每个单元中存储的数据,从而显着提高电路集成度和制造效率。

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